casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C32M16MD1-5BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C32M16MD1-5BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C32M16MD1-5BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C32M16MD1-5BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MD1-5BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C32M16MD1-5BIN-FT |
93LC46C/S15K
Microchip Technology
93LC46C/W15K
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93LC46C/WF15K
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93LC56C-I/S15K
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93LC56C-I/W15K
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93LC56C-I/WF15K
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93LC56C/S15K
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93LC56C/W15K
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93LC56C/WF15K
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93LC56CT-E/MC15KVAO
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A1020B-PQ100C
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XCV300E-6FG256I
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LFE2-12SE-5Q208C
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A40MX02-1PLG68M
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LFXP2-5E-7FT256C
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LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
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ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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