casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C512M8D3B-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C512M8D3B-12BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C512M8D3B-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C512M8D3B-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Preliminary |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3B-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C512M8D3B-12BINTR-FT |
93LC56C/W15K
Microchip Technology
93LC56C/WF15K
Microchip Technology
93LC56CT-E/MC15KVAO
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93LC66BT-I/OT15KVAO
Microchip Technology
93LC66C-I/S15K
Microchip Technology
93LC66C-I/W15K
Microchip Technology
93LC66C-I/WF15K
Microchip Technology
93LC66C/S15K
Microchip Technology
93LC66C/W15K
Microchip Technology
93LC66C/WF15K
Microchip Technology
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel