casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M32MD2-18BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M32MD2-18BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M32MD2-18BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M32MD2-18BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V, 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-FBGA (11.5x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M32MD2-18BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M32MD2-18BINTR-FT |
93LC46C-I/WF15K
Microchip Technology
93LC46C/S15K
Microchip Technology
93LC46C/W15K
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93LC46C/WF15K
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93LC56C-I/S15K
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93LC56C-I/W15K
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93LC56C-I/WF15K
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93LC56C/S15K
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93LC56C/W15K
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93LC56C/WF15K
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A3P400-1FGG256
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M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
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Intel
A1010B-1PL44I
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XC2VP7-6FFG672I
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APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
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10AX115R1F40E1SG
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