casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C512M8D3B-12BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C512M8D3B-12BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C512M8D3B-12BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C512M8D3B-12BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Preliminary |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3B-12BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C512M8D3B-12BIN-FT |
93LC56C/S15K
Microchip Technology
93LC56C/W15K
Microchip Technology
93LC56C/WF15K
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93LC56CT-E/MC15KVAO
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93LC66BT-I/OT15KVAO
Microchip Technology
93LC66C-I/S15K
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93LC66C-I/W15K
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93LC66C-I/WF15K
Microchip Technology
93LC66C/S15K
Microchip Technology
93LC66C/W15K
Microchip Technology
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel