casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M8D3L-12BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M8D3L-12BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M8D3L-12BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D3L-12BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3L-12BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M8D3L-12BCN-FT |
AS4C16M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-6BIN
Alliance Memory, Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel