casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M32MD1-5BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C16M32MD1-5BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M32MD1-5BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M32MD1-5BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-FBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MD1-5BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M32MD1-5BIN-FT |
AS4C1G8MD3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
MT41K1G8SN-107 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-107:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A TR
Micron Technology Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BAN
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel