casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C512M8D3A-12BAN
Número de pieza del fabricante | AS4C512M8D3A-12BAN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C512M8D3A-12BAN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C512M8D3A-12BAN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (9x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3A-12BAN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C512M8D3A-12BAN-FT |
AS6C8016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38098A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C1M16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C1M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C2M16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C512K16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C512K16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55BIN
Alliance Memory, Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel