casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS1C512K16P-70BIN
Número de pieza del fabricante | AS1C512K16P-70BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS1C512K16P-70BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
AS1C512K16P-70BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.6V ~ 3.3V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-FBGA (6x7) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C512K16P-70BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS1C512K16P-70BIN-FT |
AT25256W-10SC-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SC-2.7
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AT25256W-10SI
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10M08SAU169I7G
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Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
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LFE2-70SE-5FN672I
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