casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M32MS-6BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C16M32MS-6BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M32MS-6BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M32MS-6BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile SDRAM |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-FBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MS-6BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M32MS-6BIN-FT |
AS4C512M8D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel