casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M32MSA-6BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C16M32MSA-6BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M32MSA-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M32MSA-6BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile SDRAM |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5.4ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-FBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MSA-6BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M32MSA-6BINTR-FT |
MT41K1G8SN-107:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A TR
Micron Technology Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel