casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C64M32MD1-5BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C64M32MD1-5BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C64M32MD1-5BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M32MD1-5BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-FBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M32MD1-5BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C64M32MD1-5BIN-FT |
MT41K1G8SN-125:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A TR
Micron Technology Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BAN
Alliance Memory, Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel