casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / APTM120A20DG
Número de pieza del fabricante | APTM120A20DG |
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Número de parte futuro | FT-APTM120A20DG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM120A20DG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 600nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15200pF @ 25V |
Potencia - max | 1250W |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM120A20DG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTM120A20DG-FT |
DMN3135LVT-7
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XC4010L-5PC84C
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XC7K160T-1FB484I
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XC2VP4-5FFG672I
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XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35I3N
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EP1SGX40GF1020C6
Intel