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APTM120A20DG Image

Microsemi Corporation APTM120A20DG

Número de pieza de MFG
APTM120A20DG
Cantidad disponible
91980 Piezas
Precio de referencia
USD 128.866
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM120A20DG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 600nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 15200pF @ 25V
Potencia - max 1250W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caja SP6
Paquete del dispositivo del proveedor SP6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120A20DG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APTM120A20DG-FT

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