casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / CAS100H12AM1
Número de pieza del fabricante | CAS100H12AM1 |
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Número de parte futuro | FT-CAS100H12AM1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-FET™ |
CAS100H12AM1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 168A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 50mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9500pF @ 800V |
Potencia - max | 568W |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAS100H12AM1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAS100H12AM1-FT |
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