casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDMS3622S
Número de pieza del fabricante | FDMS3622S |
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Número de parte futuro | FT-FDMS3622S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS3622S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17.5A, 34A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1570pF @ 13V |
Potencia - max | 1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | Power56 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3622S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMS3622S-FT |
APTM120DU15G
Microsemi Corporation
APTM10HM19FT3G
Microsemi Corporation
APTM10HM05FG
Microsemi Corporation
APTM10AM02FG
Microsemi Corporation
APTM100H18FG
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
APTM100A18FTG
Microsemi Corporation
APTM100A13SG
Microsemi Corporation
APTM100A13SCG
Microsemi Corporation
APTJC120AM25VCT1AG
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3FTG256I
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LCMXO3L-9400E-6BG484C
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A3PN125-2VQG100I
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AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
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XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
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EP4SE230F29I3N
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EP3C25F324I7
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EP20K200EQC208-2X
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