casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / CAS120M12BM2
Número de pieza del fabricante | CAS120M12BM2 |
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Número de parte futuro | FT-CAS120M12BM2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
CAS120M12BM2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 193A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 120A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 378nC @ 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
Potencia - max | 925W |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAS120M12BM2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CAS120M12BM2-FT |
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