casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / CCS050M12CM2
Número de pieza del fabricante | CCS050M12CM2 |
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Número de parte futuro | FT-CCS050M12CM2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-FET™ Z-Rec™ |
CCS050M12CM2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 87A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2.810nF @ 800V |
Potencia - max | 337W |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CCS050M12CM2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CCS050M12CM2-FT |
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