casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMG6602SVT-7
Número de pieza del fabricante | DMG6602SVT-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMG6602SVT-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG6602SVT-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.4A, 2.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 400pF @ 15V |
Potencia - max | 840mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG6602SVT-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMG6602SVT-7-FT |
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