casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOW7S65
Número de pieza del fabricante | AOW7S65 |
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Número de parte futuro | FT-AOW7S65 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | aMOS™ |
AOW7S65 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 434pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 104W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-262 |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW7S65 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOW7S65-FT |
ZVP2110GTC
Diodes Incorporated
ZVP2120GTC
Diodes Incorporated
ZVP4424GTC
Diodes Incorporated
ZVP4525GTC
Diodes Incorporated
ZXM62N03GTA
Diodes Incorporated
ZXM62P03GTA
Diodes Incorporated
ZXM64N035GTA
Diodes Incorporated
ZXM64P035GTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A11GTC
Diodes Incorporated
ZXMN6A11GTC
Diodes Incorporated
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel