casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZXMN10A11GTC
Número de pieza del fabricante | ZXMN10A11GTC |
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Número de parte futuro | FT-ZXMN10A11GTC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN10A11GTC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 274pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN10A11GTC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMN10A11GTC-FT |
DMT6007LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6008LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6008LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6009LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6010LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
DMT8012LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6015LFV-13
Diodes Incorporated
DMT6015LFV-7
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel