casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMT6008LFG-7
Número de pieza del fabricante | DMT6008LFG-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMT6008LFG-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT6008LFG-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Ta), 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2713pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.2W (Ta), 41W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6008LFG-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMT6008LFG-7-FT |
DMTH3004LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4004LPS-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
A3PE600-1PQG208I
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Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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