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DMT6010LFG-7 Image

Diodes Incorporated DMT6010LFG-7

Número de pieza de MFG
DMT6010LFG-7
Cantidad disponible
28860 Piezas
Precio de referencia
USD 0.2872
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMT6010LFG-7 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 41.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2090pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PowerDI3333-8
Paquete / Caja 8-PowerWDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6010LFG-7 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMT6010LFG-7-FT

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