casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZXM62P03GTA
Número de pieza del fabricante | ZXM62P03GTA |
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Número de parte futuro | FT-ZXM62P03GTA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXM62P03GTA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A (Ta), 4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 330pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXM62P03GTA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXM62P03GTA-FT |
DMS3014SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMT10H015LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6007LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6007LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6008LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6008LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6009LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6010LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel