casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZXMN6A11GTC
Número de pieza del fabricante | ZXMN6A11GTC |
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Número de parte futuro | FT-ZXMN6A11GTC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN6A11GTC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 330pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN6A11GTC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMN6A11GTC-FT |
DMT6008LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6008LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6009LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6010LFG-13
Diodes Incorporated
DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
DMT8012LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6015LFV-13
Diodes Incorporated
DMT6015LFV-7
Diodes Incorporated
DMG7401SFGQ-7
Diodes Incorporated
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation