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Diodes Incorporated ZXM62N03GTA

Name: ZXM62N03GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXM62N03GTA
Availability: InStock
Rating: 4.7 (571 reviews)

Número de pieza de MFG: ZXM62N03GTA

Cantidad disponible: 80000 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: ZXM62N03GTA.pdf

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ZXM62N03GTA Presupuesto

Número de pieza del fabricante	ZXM62N03GTA
Número de parte futuro	FT-ZXM62N03GTA
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXM62N03GTA Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	380pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXM62N03GTA Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	ZXM62N03GTA-FT

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