casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2SK1775-E
Número de pieza del fabricante | 2SK1775-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-2SK1775-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK1775-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1730pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK1775-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SK1775-E-FT |
RQ3E100MNTB1
Rohm Semiconductor
RQ3E120GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130MNTB1
Rohm Semiconductor
RQ3E150GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E180GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E070BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E080BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E080GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel