casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ3E080GNTB
Número de pieza del fabricante | RQ3E080GNTB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RQ3E080GNTB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3E080GNTB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.7 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 295pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta), 15W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E080GNTB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RQ3E080GNTB-FT |
RSJ301N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N06FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ451N04FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ550N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
R5005CNJTL
Rohm Semiconductor
R5007ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009ANJTL
Rohm Semiconductor
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel