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Rohm Semiconductor RQ3E080BNTB

Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTB
Price: 0.08496 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (610 reviews)

Número de pieza de MFG: RQ3E080BNTB

Cantidad disponible: 47370 Piezas

Precio de referencia: USD 0.08496

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RQ3E080BNTB.pdf

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RQ3E080BNTB Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RQ3E080BNTB
Número de parte futuro	FT-RQ3E080BNTB
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RQ3E080BNTB Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	660pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E080BNTB Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RQ3E080BNTB-FT

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