casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RSJ250P10FRATL
Número de pieza del fabricante | RSJ250P10FRATL |
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Número de parte futuro | FT-RSJ250P10FRATL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RSJ250P10FRATL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 50W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | LPTS |
Paquete / Caja | SC-83 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSJ250P10FRATL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RSJ250P10FRATL-FT |
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
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