casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ3E100GNTB
Número de pieza del fabricante | RQ3E100GNTB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RQ3E100GNTB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3E100GNTB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 420pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta), 15W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E100GNTB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RQ3E100GNTB-FT |
RSJ400N06FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ451N04FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ550N10TL
Rohm Semiconductor
RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
R5005CNJTL
Rohm Semiconductor
R5007ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009ANJTL
Rohm Semiconductor
R5009FNJTL
Rohm Semiconductor
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel