casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RQ3E120GNTB
Número de pieza del fabricante | RQ3E120GNTB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RQ3E120GNTB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RQ3E120GNTB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 590pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta), 16W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3E120GNTB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RQ3E120GNTB-FT |
RCJ160N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ200N20TL
Rohm Semiconductor
RCJ220N25TL
Rohm Semiconductor
RCJ450N20TL
Rohm Semiconductor
RSJ151P10TL
Rohm Semiconductor
RSJ250P10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ301N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N06FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10FRATL
Rohm Semiconductor
RSJ400N10TL
Rohm Semiconductor
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel