casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W29N04GVSIAF
Número de pieza del fabricante | W29N04GVSIAF |
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Número de parte futuro | FT-W29N04GVSIAF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W29N04GVSIAF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W29N04GVSIAF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W29N04GVSIAF-FT |
BQ4011MA-200
Texas Instruments
BQ4011YMA-100
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BQ4011YMA-70N
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SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
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SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-STD
Swissbit
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel