casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4011MA-200
Número de pieza del fabricante | BQ4011MA-200 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BQ4011MA-200 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4011MA-200 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 200ns |
Tiempo de acceso | 200ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011MA-200 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4011MA-200-FT |
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-09
Winbond Electronics
W632GG6MB-11
Winbond Electronics
W632GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel