casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GG6MB-11
Número de pieza del fabricante | W632GG6MB-11 |
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Número de parte futuro | FT-W632GG6MB-11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG6MB-11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-VFBGA (7.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG6MB-11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GG6MB-11-FT |
AT45DB642D-CNU-SL955
Adesto Technologies
AT45DB161D-TU-2.5
Adesto Technologies
AT45DB321D-TU-SL383
Adesto Technologies
AT45DB642D-TU
Adesto Technologies
AT45DB642D-TU-SL383
Adesto Technologies
AT45DB161D-CCU
Adesto Technologies
AT45DB321D-CCU-SL383
Adesto Technologies
AT45DB321D-CU-SL383
Adesto Technologies
AT25DF321-S3U
Adesto Technologies
AT25DF641-S3H-B
Adesto Technologies
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel