casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4011YMA-150
Número de pieza del fabricante | BQ4011YMA-150 |
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Número de parte futuro | FT-BQ4011YMA-150 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4011YMA-150 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011YMA-150 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4011YMA-150-FT |
W631GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU6MB-12 TR
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W632GG6MB-12 TR
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W632GG6MB-15
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W632GG6MB-15 TR
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W632GG6MB11I
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W632GG6MB12I
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LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel