casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4011YMA-70N
Número de pieza del fabricante | BQ4011YMA-70N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BQ4011YMA-70N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4011YMA-70N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011YMA-70N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4011YMA-70N-FT |
W632GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB11I
Winbond Electronics
W632GG6MB12I
Winbond Electronics
W632GG6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GG6MB15I
Winbond Electronics
W632GG6MB15I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB-11
Winbond Electronics
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel