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BQ4011YMA-70N Image

Texas Instruments BQ4011YMA-70N

Número de pieza de MFG
BQ4011YMA-70N
Cantidad disponible
10050 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
- IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
BQ4011YMA-70N.pdf
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BQ4011YMA-70N Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamaño de la memoria 256Kb (32K x 8)
Frecuencia de reloj -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 70ns
Tiempo de acceso 70ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 28-DIP Module (18.42x37.72)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BQ4011YMA-70N Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BQ4011YMA-70N-FT

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