casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4011YMA-70N
Número de pieza del fabricante | BQ4011YMA-70N |
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Número de parte futuro | FT-BQ4011YMA-70N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4011YMA-70N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011YMA-70N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4011YMA-70N-FT |
W632GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-15
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W632GG6MB-15 TR
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W632GG6MB11I
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W632GG6MB12I
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W632GG6MB12I TR
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W632GG6MB15I
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W632GG6MB15I TR
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W632GU6MB-11
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LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel