casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VN3205N3-G
Número de pieza del fabricante | VN3205N3-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VN3205N3-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN3205N3-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.2A (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN3205N3-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VN3205N3-G-FT |
TPC6010-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6011(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6012(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6104(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6107(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6109-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6110(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6111(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6113(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
FDB8444TS
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel