casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VBO50-18NO7
Número de pieza del fabricante | VBO50-18NO7 |
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Número de parte futuro | FT-VBO50-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO50-18NO7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.8kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 50A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.14V @ 40A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1800V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | PWS-A |
Paquete del dispositivo del proveedor | PWS-A |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO50-18NO7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VBO50-18NO7-FT |
GBU2507 D2
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10K80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG6KB100TB
SMC Diode Solutions
3GBJ3516-BP
Micro Commercial Co
CBR1-D100S
Central Semiconductor Corp
MB6M-G
Comchip Technology
GBJ10005-F
Diodes Incorporated
UG6KB60TB
SMC Diode Solutions
BR108
GeneSiC Semiconductor
GBU8005
Diodes Incorporated
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel