casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU2507 D2
Número de pieza del fabricante | GBU2507 D2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU2507 D2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU2507 D2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 25A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU2507 D2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU2507 D2-FT |
CBR1-D080S
Central Semiconductor Corp
CBR1-D040S
Central Semiconductor Corp
CBR1-D100S TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1-D020S TR13
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CBR1U-D010S
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CBR1U-D010S TR13
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CBR1U-D020S
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CBRSDSH2-60 TR13
Central Semiconductor Corp
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
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XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
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10CL016ZF484I8G
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5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel