Número de pieza del fabricante | MB6M-G |
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Número de parte futuro | FT-MB6M-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB6M-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 800mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 800mA |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | MBM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB6M-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MB6M-G-FT |
CBRSDSH2-40 TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D010S
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D010S TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D020S
Central Semiconductor Corp
CBRSDSH2-60 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLDSH2-60 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLDSH1-40 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLDSH2-40 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLD1-02 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLD1-04 TR13
Central Semiconductor Corp
XC6SLX9-N3FT256I
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XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
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LCMXO2280E-4FTN256I
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EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
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LFE3-70E-8FN1156I
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LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel