casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / UG6KB100TB
Número de pieza del fabricante | UG6KB100TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-UG6KB100TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UG6KB100TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 6A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | D3K |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG6KB100TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UG6KB100TB-FT |
CBR1-D100S TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1-D020S TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D020S TR13
Central Semiconductor Corp
CBRSDSH2-40 TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D010S
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D010S TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D020S
Central Semiconductor Corp
CBRSDSH2-60 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLDSH2-60 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLDSH1-40 TR13
Central Semiconductor Corp
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
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EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
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LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel