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Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ

Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60X,LQ
Price: 1.95104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (444 reviews)

Número de pieza de MFG: TK31V60X,LQ

Cantidad disponible: 17890 Piezas

Precio de referencia: USD 1.95104

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: DTMOSIV-H MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK31V60X,LQ.pdf

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TK31V60X,LQ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK31V60X,LQ
Número de parte futuro	FT-TK31V60X,LQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DTMOSIV-H
TK31V60X,LQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3000pF @ 300V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (max)	240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja	4-VSFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31V60X,LQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK31V60X,LQ-FT

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