casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK60P03M1,RQ(S
Número de pieza del fabricante | TK60P03M1,RQ(S |
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Número de parte futuro | FT-TK60P03M1,RQ(S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI-H |
TK60P03M1,RQ(S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2700pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 63W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK60P03M1,RQ(S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK60P03M1,RQ(S-FT |
TK14N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14N65W5,S1F
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TK62N60W,S1VF
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TK20N60W,S1VF
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XC3S700A-4FGG400C
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ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel