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Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5,S1F

Name: TK25N60X5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK25N60X5,S1F
Price: 3.36 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (55 reviews)

Número de pieza de MFG: TK25N60X5,S1F

Cantidad disponible: 88120 Piezas

Precio de referencia: USD 3.36

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: DTMOSIV-H MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK25N60X5,S1F.pdf

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TK25N60X5,S1F Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK25N60X5,S1F
Número de parte futuro	FT-TK25N60X5,S1F
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DTMOSIV-H
TK25N60X5,S1F Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2400pF @ 300V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK25N60X5,S1F Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK25N60X5,S1F-FT

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