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Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CTTPL3

Name: SSM4K27CTTPL3
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM4K27CTTPL3
Availability: InStock
Rating: 4.8 (572 reviews)

Número de pieza de MFG: SSM4K27CTTPL3

Cantidad disponible: 79850 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIII MOSFET N-CH 20V .5A CST4

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SSM4K27CTTPL3.pdf

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SSM4K27CTTPL3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SSM4K27CTTPL3
Número de parte futuro	FT-SSM4K27CTTPL3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII
SSM4K27CTTPL3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	500mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205 mOhm @ 250mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	174pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	CST4 (1.2x0.8)
Paquete / Caja	4-SMD, No Lead
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM4K27CTTPL3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SSM4K27CTTPL3-FT

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