casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK35N65W5,S1F
Número de pieza del fabricante | TK35N65W5,S1F |
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Número de parte futuro | FT-TK35N65W5,S1F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK35N65W5,S1F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4100pF @ 300V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 270W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK35N65W5,S1F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK35N65W5,S1F-FT |
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XC5VLX50-2FF324I
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XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel