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Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W,RQ

Número de pieza de MFG
TK9P65W,RQ
Cantidad disponible
82050 Piezas
Precio de referencia
USD 0.62944
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante TK9P65W,RQ
Número de parte futuro FT-TK9P65W,RQ
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie DTMOSIV
TK9P65W,RQ Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 700pF @ 300V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK9P65W,RQ Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TK9P65W,RQ-FT

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