casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58CYG0S3HQAIE
Número de pieza del fabricante | TC58CYG0S3HQAIE |
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Número de parte futuro | FT-TC58CYG0S3HQAIE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TC58CYG0S3HQAIE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 155µs |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58CYG0S3HQAIE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58CYG0S3HQAIE-FT |
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W978H6KBVX2E
Winbond Electronics
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
W97AH2KBVX2I
Winbond Electronics
W979H2KBVX2I
Winbond Electronics
W97AH6KBVX2I
Winbond Electronics
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel