casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W978H6KBVX2E
Número de pieza del fabricante | W978H6KBVX2E |
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Número de parte futuro | FT-W978H6KBVX2E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W978H6KBVX2E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W978H6KBVX2E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W978H6KBVX2E-FT |
W25Q32JVTBIQ
Winbond Electronics
W25Q32JVTBIQ TR
Winbond Electronics
W25Q128BVBJG
Winbond Electronics
W25Q128BVBJG TR
Winbond Electronics
W25Q128BVBJP
Winbond Electronics
W25Q128BVBJP TR
Winbond Electronics
W25Q128FVBIG
Winbond Electronics
W25Q128FVBIP
Winbond Electronics
W25Q128FVBJQ
Winbond Electronics
W25Q128FVBJQ TR
Winbond Electronics
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel