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EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Image

Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Número de pieza de MFG
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Cantidad disponible
53790 Piezas
Precio de referencia
USD 4.157104
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Fecha de envío
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fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
- IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf
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Número de pieza del fabricante EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Número de parte futuro FT-EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria 512Mb (16M x 32)
Frecuencia de reloj 533MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 134-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 134-VFBGA (10x11.5)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto EDB5432BEBH-1DAAT-F-D-FT

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