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Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3

Número de pieza de MFG
SIZ900DT-T1-GE3
Cantidad disponible
58860 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SIZ900DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1830pF @ 15V
Potencia - max 48W, 100W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 6-PowerPair™
Paquete del dispositivo del proveedor 6-PowerPair™
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ900DT-T1-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SIZ900DT-T1-GE3-FT

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